Epitaksinių GaAs sluoksnių auginimas
Aprašymas:

Epitaksinų GaAs sluoksnių auginimo sistema KRATOS

Raktažodžiai:
Epitaksiniai GaAs sluoksniai, sluoksnių formavimas, epitaksija

Mokslo kryptis:
Diagnostinės ir matavimo technologijos, Naujos medžiagos aukštosioms technologijoms, Technologijos darniam vystymuisi ir energetika, Specializuota mokslinė įranga
Techninė specifikacija:

Epitaksiniams GaAs sluoksniams auginti skirtos 8 kaitinimo talpos, kompiteriu valdomos 8 sklendės, bandinių transportavimas vakuume, vakuumas ne mažiau 1*10-10 Torr,

Taikymo sritys:
Epitaksinių GaAs sluoksnių auginimas,auginamų sluoksnių kontrolė
Užklausos forma