MMI
Ieškoti

Paviršiaus tyrimas Rentgeno fotoelektronų ir Ože elektronų spektroskopijomis, epitaksinių GaAs sluoksnių auginimas,auginamų sluoksnių kontrolė, tiesioginė sąsaja vakume su GaAs sluoksnių auginimo sistema ir tyrimai tiesiogiai vakuume (in-situ)
Aprašymas: Paviršiaus tyrimas rentgeno fotoelektronų ir Ože elektronų spektroskopijomis bei tiesioginė sąsaja vakume su GaAs sluoksnių auginimo sistema atliekami su rentgeno fotoelektronų ir Ože elektronų spektroskopijos sistema KRATOS XSAM800 (rentgeno spindulių šaltinis: dvigubas Al/Mg anodas, elektronų šaltinis Ože spektroskopijai, tiesioginė sąsaja vakume su GaAs sluoksnių auginimo sistema, bandinių transportavimas vakuume, vakuumas ne mažiau 1*10-9 Torr).

Raktažodžiai: Rentgeno fotoelektronų spektroskopija, Ože elektronų spektroskopija

Mokslo kryptis: Diagnostinės ir matavimo technologijos, Naujos medžiagos aukštosioms technologijoms, Technologijos darniam vystymuisi ir energetika
Epitaksinių GaAs sluoksnių auginimo sistema KRATOS
Rentgeno fotoelektronų ir Ože elektronų spektroskopijos sistema KRATOS XSAM800
Įranga jau užrezervuota
Nuo Iki
Įranga nerezervuota
Užklausos forma