Metalinių, puslaidininkinių bei dielektrinių sluoksnių formavimas vakuuminiais joniniais ir plazminiais metodais bei jų savybių tyrimai
Aprašymas: |
![]() |
Optinė mikroskopija
Aprašymas: |
![]() |
Plonų sluoksnių formavimas centrifuga
Aprašymas: |
![]() |
Metalo ir puslaidininkio (Schottky ir ominių) kontaktų formavimas ir tyrimas
Aprašymas: |
![]() |
Pjezovaržinių savybių tyrimas
Aprašymas: |
![]() |
Rockvel`o kietumo tyrimas
Aprašymas: |
![]() |
Klijų sluoksnio formavimas ant silikoninio popieriaus, daugiasluoksnės polimerinės plėvelės
Aprašymas: |
![]() |
Paviršių šiurkštumo matavimas
Aprašymas: |
![]() |
Medžiagų tyrimas, identifikacija su Raman spektroskopija
Aprašymas: |
![]() |
Optinių savybių tyrimas UV-VIS diapazone
Aprašymas: |
![]() |
Paviršinis mikroformavimas. Mikro ir nanodarinių ėsdinimas jonų pluošteliu
Aprašymas: |
![]() |
Lazerinis medžiagų apdirbimas
Aprašymas: |
![]() |
Optinės ir nanoįspaudimo litografijos taikymas ir tyrimai
Aprašymas: |
![]() |
Metalo plėvelių garinimas
Aprašymas: |
![]() |
Optinių dokumentų apsaugos priemonių ir jų gamybos technologijų kūrimas bei tyrimas
Aprašymas: |
![]() |
Lazerinė interferencinė litografija, paslėpto vaizdo hologramų formavimas, 2D-3D hologramų formavimas, vaivorykštinių hologramų formavimas
Aprašymas: |
![]() |
Deimanto tipo anglies plėvelių auginimas
Aprašymas: |
![]() |
Antireflekcinių plėvelių bei paviršių formavimas ir tyrimas
Aprašymas: |
![]() |
Atominių jėgų mikroskopija
Aprašymas: |
![]() |
Absorbcijos kinetikos laikinis matavimas
Aprašymas: |
![]() |
Plonų sluoksnių formavimas Langmuir-Blodgett metodu
Aprašymas: |
![]() |
Plonų polimerinių, dielektrinių ir puslaidininkinių plėvelių, pusiau skaidrių (<50 nm) metalo plėvelių storio ir lūžio rodiklio nustatymas
Aprašymas: |
![]() |
Puslaidininkių paviršiaus savybių modifikavimas bei pasyvavimas cheminiais ir fiziniais metodais
Aprašymas: |
![]() |
Deimanto tipo anglies dangų sintezė ir tyrimas
Aprašymas: |
![]() |
Elektrinių savybių tyrimas
Aprašymas: |
![]() |
Paviršinis mikroformavimas. Mikro ir nanodarinių ėsdinimas reaktyviojo joninio ėsdinimo būdu
Aprašymas: |
![]() |
Mikrokietumo ir kitų mikromechaninių savybių tyrimas
Aprašymas: |
![]() |
Tūrinis mikroformavimas. Gilusis reaktyvusis joninis ėsdinimas
Aprašymas: |
![]() |
Paviršiaus tyrimas taikant: Rentgeno fotoelektronų spektroskopiją (XPS); jonų sklaidos spektroskopiją (ISS); atspindėtų elektronų prarastos energijos spektroskopiją (REELS); UV spindulių fotoelektronų spektroskopiją (UPS)
Aprašymas: |
![]() |
Paviršių vaizdinimas skenuojančiu elektronų mikroskopu
Aprašymas: |
![]() |
Medžiagų cheminė analizė atominės spektroskopijos metodu
Aprašymas: |
![]() |
Ni dangos formavimas ant plastiko paviršiaus
Aprašymas: |
![]() |
Submikrometrinių (nanometrinių) matmenų reljefo formavimas plastiko paviršiuje
Aprašymas: |
![]() |
Optinių apsaugos ženklų tiražavimas daugiasluoksnėje polimerinėje plėvelėje (juostoje)
Aprašymas: |
![]() |
Mikrosistemų kūrimas ir tyrimas
Aprašymas: |
![]() |
Molekulių ir mišinių charakterizavimas, vibracinių spektrų identifikavimas (FTIR)
Aprašymas: |
![]() |
Dielektrinių medžiagų, plonų plėvelių elektrinių savybių tyrimas. Kuro elementų komponentų testavimas
Aprašymas: Dielektrinių medžiagų, plonų plėvelių elektrinių savybių tyrimai bei kuro elementų komponentų testavimas atliekami su impendanso analizatoriumi ALPHA-AK (dažnis nuo 3 µHz iki 3 MHz. 2-3 elektrodų sistema; fazė: 0,001 °; bandinių diametras 16 mm; dvi "in-plane" ir "through-plane" matavimo konfigūracijos). |
![]() |
Taškų hologramų originalų formavimas
Aprašymas: Paslauga skirta atlikti dokumentų apsaugai skirtų hologramų originalo užrašymą fotorezisto sluoksnyje formuojant 2D taškų hologramas (angl. „Dot-matrix“). Hologramų užrašymas atliekamas naudojant užsakovo pateiktą kompiuterinį grafinį vaizdą arba eskizą. Kombinuotų hologramų užrašymą galima atlikti apjungiant 3D elektroninės nanolitografijos bei 2D taškinių hologramų (dot-matrix) technologijas, tokiu būdu žymiai padidinant kuriamo produkto apsaugos lygį. |
![]() |
Švariojo kambario paslauga
Aprašymas: Švariuoju kambariu įprasta vadinti uždarą erdvę, kurioje kontroliuojama aplinkos temperatūra, drėgmė, slėgis ir tam tikro dydžio dalelių koncentracija. Pagal dalelių dydį ir jų koncentraciją patalpoje ISO 14644-1 standartas įvardija devynias švarumo klases. „Santakos“ slėnyje įrengtas švarusis kambarys yra ISO 5 klasės. Tokio švariojo kambario kubiniame metre dalelių, kurių skersmuo yra didesnis ar lygus 0,5 mikrometrų, skaičius neviršija 3520. Švariajam kambariui nustatyta prietaisų eksploatavimo, personalo apsauginių ir valymo priemonių naudojimo tvarka ir atliekama nuolatinė visų parametrų kontrolė. |
![]() |
Paviršiaus tyrimas Rentgeno fotoelektronų ir Ože elektronų spektroskopijomis
Aprašymas: Paviršiaus tyrimas rentgeno fotoelektronų ir Ože elektronų spektroskopijomis bei tiesioginė sąsaja vakume su GaAs sluoksnių auginimo sistema atliekami su rentgeno fotoelektronų ir Ože elektronų spektroskopijos sistema KRATOS XSAM800 (rentgeno spindulių šaltinis: dvigubas Al/Mg anodas, elektronų šaltinis Ože spektroskopijai, tiesioginė sąsaja vakume su GaAs sluoksnių auginimo sistema, bandinių transportavimas vakuume, vakuumas ne mažiau 1*10-9 Torr). |
![]() |
Inovatyvių medžiagų ir struktūrų tyrimas fizikiniais ir cheminiais medžiagų analizės metodais.
Aprašymas: Produktų, medžiagų medžiagotyrinės kilmės analizė fizikiniais-cheminiais metodais. Medžiagų rekonstravimas ir savybių (cheminių, mechaninių, fizikinių) vertinimas (analitiniai – technologiniai procesai). Metalų ir metalų oksidų nanodalelių sintezė; porėto anodinio aliumininio oksido membranų formavimas; nanometrinių matmenų porėto silicio formavimas; polimerinių nanokmpozitų, pasižyminčių plazmoniniu efektu,pjezo efektu ir kitomis funkcinėmis savybėmis kūrimas. Gali būti atliktas nanostruktūrinių medžiagų suformavimas, padengimas, užnešimas ant objektų. |
![]() |
Elektroninės litografijos taikymas ir tyrimai
Aprašymas: Naudojama Raith E-LINE yra elektronų pluošto nanolitografijos sistema su 100 x 100 mm staliuko eiga, kuri kontroliuojama lazeriniu interferometru 2 nm tikslumu. Naudojamas lauko emisijos elektronų šaltinis. Elektronų pluoštelio srovė kontroliuojama, pasirenkant atitinkamą apertūrą (7,5, 10, 20, 30, 60 arba 120 µm). Didesni eksponavimo laukai padalinami į mažesnius darbinius laukus. Standartinio eksponavimo lauko dydis yra 100 µm su 2 nm pikselio dydžiu. Darbinio lauko ribose eksponavimas atliekamas nuosekliai - pikselis po pikselio. Speciali programinė įranga leidžia koreguoti artumo efektą bei atlikti trimatę (3D) litografiją. |
![]() |