MMI

Paviršinis mikroformavimas. Mikro ir nanodarinių ėsdinimas jonų pluošteliu

Aprašymas:
Mikro ir nanodarinių formavimas atliekamas su joninio ėsdinimo įrenginiu USI-IONIC (tolygaus ėsdinimo srities skersmuo 8 cm).

Optinė mikroskopija

Aprašymas:
Įvairių medžiagų paviršiaus tyrimas ir mikrometriniai matavimai. Plataus lauko okuliarai su mikrometrine skale, skaitmeninė vaizdo kamera, fluorescencijos priedas.

Plonų sluoksnių formavimas centrifuga

Aprašymas:
Plonų sluoksnių formavimas ir džiovinimas ant įvairių padėklų. Sukimo greitis iki 10000 aps/min, trukmė 1-60 s. Džiovinimo temperatūra nuo 50 deg C iki 230 deg C.

Metalo ir puslaidininkio (Schottky ir ominių) kontaktų formavimas ir tyrimas

Aprašymas:
Užtvarinių metalo ir puslaidininkio (Schottky) kontaktų formavimas vakuuminio garinimo arba magnetroninio dulkinimo būdais. Galima III-V puslaidininkių Schottky kontakto potencialinio barjero aukščio kontrolė. GaAs ominių kontaktų formavimas derinant AuGe sluoksnių auginimą ir atkaitinimą. Al-GaAs ominių kontaktų formavimas.

Pjezovaržinių savybių tyrimas

Aprašymas:
Pjezovaržinių savybių tyrimas atliekamas automatizuotu įrenginiu, kurio pagrindinės techninės charakteristikos ir jų ribos būtų: spaudimo jėga kinta nuo 0 iki 13 N; matuojama varža nuo 0.1 Ω iki 10 GΩ.

Rockvel`o kietumo tyrimas

Aprašymas:
Makrokietumo matavimas atliekamas su Rokvelo kietumo matavimo prietaisu (apkrovos 15, 30, 45 kg).

Klijų sluoksnio formavimas ant silikoninio popieriaus, daugiasluoksnės polimerinės plėvelės

Aprašymas:
Optinės dokumentų apsaugos priemonės tvirtinamos prie saugomo objekto per klijų sluoksnį. Bandant pašalinti nuo saugomo objekto paviršiaus - jos suyra negrįžtamai.

Paviršių šiurkštumo matavimas

Aprašymas:
Paviršių šiurkštumo matavimu nustatoma mikrogeometrinių paviršiaus nelygumų visuma, kai paviršiaus profilį (reljefą) sudarantys mikronelygumai kartojasi palyginti mažu žingsniu. Paviršių šiurkštumas vertinamas pagal standartus ISO 4287, DIN 4768, daugeliu parametrų.

Medžiagų tyrimas, identifikacija su Raman spektroskopija

Aprašymas:
Ramano spektroskopija yra gerai pritaikyta įvairiems tyrimams dėl savo universalumo – galima analizuoti daugelį medžiagų: dažus, rašalus, stiklą, brangakmenius, mineralus, lakus, bio pavyzdžius ir kitas medžiagas. Ramano analizė atliekama tiesiogiai pastačius tiriamus mėginius ar objektus po mikroskopu. Sistema yra valdoma patogios programinės įrangos, kuri leidžia paprastai valdyti spektrometrą, įrašyti, analizuoti, apdoroti ir pateikti spektrus. Didelė spektrų biblioteka leidžia greitai atpažinti tiriamas medžiagas.

Optinių savybių tyrimas UV-VIS diapazone

Aprašymas:
Pralaidumo, sugerties, atspindžio matavimai UV-VIS-NIR spektriniame diapazone atliekami su šviesolaidiniu spektrometru AvaSpec-2048. Galima analizuoti skysčius standartinėje kiuvetėje, kietus skaidrius (matuojant pralaidumą ir sugertį) arba neskaidrius (matuojant atspindį) bandinius.

Optinių apsaugos ženklų tiražavimas daugiasluoksnėje polimerinėje plėvelėje (juostoje)

Aprašymas:
Panaudojant aukštąsias mikro ir nano reljefo formavimo technologijas (lazerinę, elektroninę litografiją ir t.t.) grafinis vaizdas gaunamas nedideliame plote. Panaudojant tiražavimo įrenginius optinius apsaugos ženklus galima suformuoti begalinėje daugiasluoksnėje polimerinėje juostoje.

Molekulių ir mišinių charakterizavimas, vibracinių spektrų identifikavimas (FTIR)

Aprašymas:
Infraraudonoji (IR) spektroskopija yra galingas analitinis įrankis molekulių ir mišinių charakterizavimui ir vibracinių spektrų identifikavimui. Pavyzdžiui, organinio junginio IR spektras teikia specifinę informaciją apie molekulių struktūrą ir cheminius ryšius. Naudojant atspindžio režimą (ATR), plonas plėveles galima tirti tiesiogiai paviršiuje.Mes naudojame IR, siekdami tiksliai nustatyti užterštumo organiniais teršalais lygį įvairiuose bandiniuose. Naudojama polimerų ir plastikų organinei analizei, skysčių, kietųjų medžiagų ir dujų analizei, nelaidžių medžiagų analizei ir molekulių specifiniam identifikavimui, įskaitant biomedicinos, puslaidininkių, elektronikos, lazerių ir optikos pramonės produktų bandinius.

Metalinių, puslaidininkinių bei dielektrinių sluoksnių formavimas vakuuminiais joniniais ir plazminiais metodais bei jų savybių tyrimai

Aprašymas:
Paslauga skirta metalinių ir dielektrinių dangų formavimui. Optinė sistema su skenuojančiu monochromatoriumi suteikia galimybę kontroliuoti formuojamų dielektrinių dangų optinį storį. Tuo pat metu storis matuojamas ir kvarciniu storio matuokliu. Padėklų temperatūra: 20 – 400oC Vakuumas kameroje: 10-3 Pa

Lazerinis medžiagų apdirbimas

Aprašymas:
Femtosekundine lazerinio mikro/nano apdirbimo sistema FemtoLab, kurioje naudojamas Yb:KGW lazeris Pharos 1030 nm, 4 W, <300 fs, abliacija atliekama, naudojant fundamentiniu bangos ilgiu arba jo aukštesnėmis harmonikomis (2H 515 nm, 3H 343 nm). Galimos trys abliavimos modos: abliavimas fokusuotu lazerio pluoštu, transliuojant bandinį (padėties atsikartojamumas 100 nm, raiška iki 1 um, bangos ilgiai: 1030 nm, 515 nm, 343 nm); abliavimas plokščių ir lenktų paviršių, naudojant galvoskenerį (raiška iki 20 um, bangos ilgis 1030 nm); abliacija valdomo periodo interferenciniu raštu (periodas 0.8-1.1 um, valdoma orientacija, bangos ilgis 515 nm). Sistema valdoma programa SCA, kuria norimą abiliuoti struktūrą galima aprašyti komandų eilute, įkelti kaip rastrinį piešinį arba naudoti vieną iš daugelio suderinamų vektorinės grafikos bylų duomenų tipų. Abliaciją fokusuotu pluoštu bei interferenciniu lauku galima atlikti iki 3 mm storio bandiniuose, plotas iki ~10x10 cm. Abliaciją galvoskeneriu galima atlikti iš principo ir ant keliu centimetrų storio bandinio paviršiaus, plotas iki ~7x7 cm. Abliuojant ant lenkto paviršiaus bandiniai (įvairaus diametro strypai) tvirtinami griebtuve, vidinis diametras ~2-4 cm, išorinis ~0-2 cm.

Optinės ir nanoįspaudimo litografijos taikymas ir tyrimai

Aprašymas:
Optinė litografija – mikrotechnologijų procesas, skirtas plonų plėvelių ar tūrinių medžiagų paviršiui struktūrizuoti. Reikalingas piešinys šviesai jautraus rezisto sluoksnyje formuojamas, eksponuojant rezistą ultravioletiniais spinduliais per fotokaukę. Optinės litografijos metodu galima suformuoti 0,5 μm dydžio darinius (mažesnių darinių formavimą riboja UV šviesos bangos ilgis ir difrakcijos reiškiniai). Nanoįspaudimo litografija – nebrangus ir našus nanometrinių struktūrų (skiriamoji geba siekia 10 nm) formavimo būdas. Nanostruktūros formuojamos, mechaniškai deformuojant rezisto sluoksnį. Įspaudimui gali būti naudojamas termoplastikas arba fotopolimeras, sukietinamas UV spinduliuote. Kokybiškam įspaudui svarbu užtikrinti mažą adheziją tarp spaudo ir rezisto bei parinkti tinkamus proceso parametrus (įspaudimo trukmę, slėgį ir kt.). Nanoįspaudimo litografijai naudojamas spaudas gaminamas, taikant elektroninę bei optinę litografiją ir gilaus joninio ėsdinimo procesus.

Metalo plėvelių garinimas

Aprašymas:
Paslauga skirta metalinių ir dielektrinių dangų formavimui. Formuojamų dangų storis kontroliuojamas mikroprocesoriumi ir kvarciniu storio matuokliu. Įrenginio parametrai: Vakuumas kameroje: 10-4 – 10-5 Pa Dvi 6 kW galingumo elektronų patrankos su keturių padėčių persukamais tigliais Padėklų temperatūra: 20 – 400oC

Optinių dokumentų apsaugos priemonių ir jų gamybos technologijų kūrimas bei tyrimas

Aprašymas:
Galime pagaminti nuo lipdukų (pačios įvairiausios formos polimerinių suyrančių plombų) iki sudėtingų optiškai kintančių holograminių elementų. Atliekame: - Holograminių ženklų projektavimą ir pirminio originalo gamybą; - Metalinio spaudo gamybą; - Mikroreljefo tiražavimą metalizuotoje polimerinėje juostoje; - Adhezinio sluoksnio užnešimą ir pageidaujamos formos holograminių lipdukų iškirtimą. Produktui sukurti naudojamos šiuolaikinės aukštosios technologijos: interferencinė (taškinė) holografinė litografija, elektroninė nano-litografija, optinė mikrolitografija, vakuuminės ir elektrocheminės dangos ir kita pažangi ir moderni įranga bei technologijos.

Lazerinė interferencinė litografija, paslėpto vaizdo hologramų formavimas, 2D-3D hologramų formavimas, vaivorykštinių hologramų formavimas

Aprašymas:
Paslauga skirta atlikti dokumentų apsaugai skirtų hologramų originalo užrašymą fotojautrioje medžiagoje suformuojant submikrometrtrinių matmenų kintančio reljefo struktūras (arba kintančio lūžio rodiklio struktūras). Hologramų užrašymas atliekamas naudojant užsakovo pateiktą fizinį objektą (modelį) arba kompiuterinį grafinį vaizdą. Sukomplektuota optinių stalų, optinių-mechaninių elementų, valdiklių, lazerių ir kitų įrenginių visuma sudaro sąlygas atlikti trimačių hologramų, 2D/3D hologramų, paslėpto vaizdo hologramų bei padidinto apsaugos laipsnio kombinuotų hologramų užrašymą. Kombinuotų hologramų užrašymą galima atlikti apjungiant: a) 3D elektroninės nanolitografijos su 2D/3D hologramomis, b) taškų hologramas su 2D/3D hologramomis, c) 2D/3D hologramas su paslėpto vaizdo hologramomis ir kt.

Deimanto tipo anglies plėvelių auginimas

Aprašymas:
Paslauga yra skirta joniniu būdu auginti deimanto tipo anglies dangas (DTAD) iš angliavandenilių medžiagų. Sintezė atliekama su joninio DTAD nusodinimo įrenginiu bei joninio DTAD nusodinimo įrenginiu URM 3.279.053. Įrenginio parametrai: Ribinis vakuumas kameroje: 4·10-4 Pa DTAD nusodinimo slėgis: (1-2)·10-2 Pa Jonų šaltinio greitinanti įtampa: iki 2 kV Jonų srovės tankis: 0,05 – 0,25 mA/cm2 Solenoido srovė: 6A Naudojamos dujos: gali būti naudojamos inertiškos bei reaguojančios dujos.

Antireflekcinių plėvelių bei paviršių formavimas ir tyrimas

Aprašymas:
Sumažinančių atspindžius (antireflekcinių) plėvelių auginimas vakuuminio garinimo, magnetroninio dulkinimo, plazma aktyvuoto cheminio nusodinimo iš garų fazės, jonpluoštės sintezės būdais. Gali būti derinama su padidėjusiu kietumu, atsparumu dilimui, braižymui bei korozijai ir paviršiaus laisvosios energijos kontrole. Padėklo temperatūra: 20-350˚C. Naudojamos dujos: SiH4, NH3, N2, CF4, O2, CHF3, Ar.

Absorbcijos kinetikos laikinis matavimas

Aprašymas:
Matavimai atliekami dinaminės sugerties spektrometru sudarytu iš netiesinio optinio parametrinio stiprintuvo, kuris yra kaupinama Pharos lazeriu ir naudojamas bandinio žadinimui (315-2600 nm bangos ilgiai), vėlinimo linijos, baltos šviesos kontinuumo generuojamo safyro kristale (480-1100 nm bangos ilgiai) bei spektrografo. Didžiausia registruojamas laikų intervalas 1,7 ns. Detektuojamas skirtuminės sugerties signalas 0,05 mOD. Metodas yra tinkamas ultrasparčių procesų tyrimas skaidriuose bandiniuose, dangose bei skysčiuose.

Plonų sluoksnių formavimas Langmuir-Blodgett metodu

Aprašymas:
Įrenginys skirtas mono- bei daugiamolekulinių organinių plėvelių formavimui ant kietų paviršių Langmuir-Blodgett (LB) metodu. Vonelės parametrai: Laisvojo paviršiaus plotas – 400 cm2 Darbinis paviršius – 318 cm2 Skysčio tūris – 1000-1050 cm3 Paviršinio slėgio matuoklis – Vilhelmi plokštelė (paklaida 0,1 mN/m) Šulinio matmenys: gylis – 75 mm, skersmuo – 60 mm.

Plonų polimerinių, dielektrinių ir puslaidininkinių plėvelių, pusiau skaidrių (<50 nm) metalo plėvelių storio ir lūžio rodiklio nustatymas

Aprašymas:
Paslauga atliekama su lazeriniu elipsometru, kuris naudojamas plonų dielektrinių ir puslaidininkinių plėvelių storio ir lūžio rodiklio nustatymui. Lazerinė elipsometrija pagrįsta nuo bandinio atspindėtos monochromatinės poliarizuotos šviesos poliarizacijos parametrų analize. Lazerio spindulio bangos ilgis - 632.8 nm. Plėvelių storis 0.001 - 1 µm. Storio matavimų neapibrėžtis - ±(0.5 - 1) nm. Lūžio rodiklio matavimo neapibrėžtis ±0.01.

Puslaidininkių paviršiaus savybių modifikavimas bei pasyvavimas cheminiais ir fiziniais metodais

Aprašymas:
Puslaidininkių paviršiaus savybės keičiamos naudojant cheminį skystos fazės tirpalų poveikį arba apšvitą žemos energijos jonais.

Deimanto tipo anglies dangų sintezė ir tyrimas

Aprašymas:
Paslauga yra skirta jonpluoštės sintezės arba plazma aktyvuoto cheminio nusodinimo iš garų fazės būdu auginti deimanto tipo anglies dangas (DTAD) iš angliavandenilių ir legiravimo medžiagų. Deimanto tipo anglis tai amorfinė anglies atmaina, kurios savybės gali būti keičiamos nuo tipiškų deimantui iki tipiškų grafitui. DTAD pasižymi dideliu kietumu, atsparumu dilimui bei korozijai, mažu trinties koeficientu, biosuderinamumu. Elektrinės ir optinės DTAD savybės gali būti keičiamos plačiose ribose. DTAD stebimas stiprus pjezobvaržinis efektas.

Elektrinių savybių tyrimas

Aprašymas:
Šis tyrimas susideda iš tokių atliekamų elektrinių matavimų nurodytų diapazonų ribose: 1) dangų paviršiaus varžos matavimas (nuo 0.1Ω/□ iki 10 kΩ/□); 2) srovės, varžos, V_A charakteristikų matavimas (Keithley 6487, 10fA..20mA, 1 mV...505V)

Paviršinis mikroformavimas. Mikro ir nanodarinių ėsdinimas reaktyviojo joninio ėsdinimo būdu

Aprašymas:
Paviršinio mikroformavimo procesai bei reaktyvusis joninis dielektrikų (kvarcas, SiO2, Si3N4) ėsdinimas atliekami su reaktyviojo ėsdinimo ir plazmocheminio auginimo įrenginiu PK-2430 (plazmos šaltinio galia 3 kW; plazmos dažnis 13.56 MHz; srities, kur vyksta ėsdinimas, skersmuo 15 cm).

Mikrokietumo ir kitų mikromechaninių savybių tyrimas

Aprašymas:
Plonų sluoksnių ir dangų mikromechaninių savybių tyrimas atliekamas su dinaminio mikrokietumo matavimo sistema su pagrindu HM 2000S (galimos apkrovos matavimo metuo 0.1 – 2000 mN).

Tūrinis mikroformavimas. Gilusis reaktyvusis joninis ėsdinimas

Aprašymas:
Gilusis reaktyvusis joninis ėsdinimas bei tūrinis mikroformavimas atliekamas su indukcine plazma aktyvuoto reaktyviojo joninio ėsdinimo įrenginiu Vision LL-I (tolygaus ėsdinimo srities skersmuo 15 cm).

Paviršiaus tyrimas taikant: Rentgeno fotoelektronų spektroskopiją (XPS); jonų sklaidos spektroskopiją (ISS); atspindėtų elektronų prarastos energijos spektroskopiją (REELS); UV spindulių fotoelektronų spektroskopiją (UPS)

Aprašymas:
Paviršiaus tyrimas, taikant rentgeno fotoelektronų spektroskopiją (XPS), jonų sklaidos spektroskopiją (ISS), atspindėtų elektronų prarastos energijos spektroskopiją (REELS) bei UV fotoelektronų spindulių spektroskopiją (UPS), atliekamas su universalia rentgeno fotoelektronų ir jonų sklaidos spektroskopijos paviršių analizės sistema.

Paviršių vaizdinimas skenuojančiu elektronų mikroskopu

Aprašymas:
FEI įmonės šiuolaikinis skenuojantis elektroninis mikroskopas Quanta 200 FEG, yra vienas iš pagrindinių nano technologijų įrankių, t.y. nano struktūrų ir nano prietaisų, paviršiaus vaizdinimo priemonė. Tai daugeliu atveju nepamainoma mikroskopijos priemonė, nes ji užtikrina didelį fokuso gylį, ledžia bandinio paviršių vaizdinti plačiame didinimų diapazone nuo keliasdešimt kartų iki šimtų tūkstančių kartų. Tai sąlyginai greitas tyrimo metodas, nes bandinio įdėjimas/išėmimas užtrunka porą minučių, o vieno vaizdo skenavimas gali trukti nuo pusės minutės iki keletos minučių, priklausomai nuo pasirinktos skyros. Mikroskope naudojamas modernus lauko emisijos elektronų šaltinis bei speciali vakuuminė sistema, leidžianti dirbti kontroliuojamo slėgio vandens garų atmosferoje, todėl šiuo mikroskopu galima tirti elektriškai nelaidžių bandinių paviršius su aukšta 1,2 nm erdvine skiriamąja geba. Jame yra įmontuotas naujos kartos rentgeno spindulių energijos dispersijos spektrometras. 

Ni dangos formavimas ant plastiko paviršiaus

Aprašymas:
Mikro ir nano reljefui antrinti dideliuose, įvairios prigimtie polimerų paviršiuose naudojamos metalinės (labiausiai paplitusios Ni) spaudos formos. Joms pagaminti naudojama elektrocheminė Ni nusodinimo technologija.

Submikrometrinių (nanometrinių) matmenų reljefo formavimas plastiko paviršiuje

Aprašymas:
Naudojant precizinius įrenginius ir nanogalvaninius technologinius procesus yra formuojamas submikrometrinių (nanometrinių) matmenų reljefas plastiko paviršiuje.

Dielektrinių medžiagų, plonų plėvelių elektrinių savybių tyrimas. Kuro elementų komponentų testavimas

Aprašymas:

Dielektrinių medžiagų, plonų plėvelių elektrinių savybių tyrimai bei kuro elementų komponentų testavimas atliekami su impendanso analizatoriumi ALPHA-AK (dažnis nuo 3 µHz iki 3 MHz. 2-3 elektrodų sistema; fazė: 0,001 °; bandinių diametras 16 mm; dvi "in-plane" ir "through-plane" matavimo konfigūracijos).

Atominių jėgų mikroskopija

Aprašymas:

Visų skenuojančių zondinių mikroskopų (SZM) veikimo principas – paviršiaus skenavimas plonu zondu, kuris tam tikru būdu (priklausomai nuo mikroskopo tipo) sąveikauja su paviršiumi. SZM leidžia stebėti trimačius vaizdus plačiame diapazone, apimančiame tradicines optinio ir elektroninio mikroskopų veikimo sritis. AJM (atominių jėgų mikroskopo) veikimas pagrįstas atominių ryšio jėgų veikimu tarp paviršiaus ir zondo smaigalio atomų. Šiuo metodu yra galimybė mikro-, nano- metriniame lygmenyje įvertinti ir aprašyti matematiniais statistiniais parametrais paviršiaus morfologiją bei atlikti lateralinių, elektrinių, Kelvino jėgų mikroskopiją, vaizdinimą, įvertinti lokalias mechanines savybes, atlikti nanotechnologinius procesus.

Inovatyvių medžiagų ir struktūrų tyrimas fizikiniais ir cheminiais medžiagų analizės metodais.

Aprašymas:

Produktų, medžiagų medžiagotyrinės kilmės analizė fizikiniais-cheminiais metodais. Medžiagų rekonstravimas ir savybių (cheminių, mechaninių, fizikinių) vertinimas (analitiniai – technologiniai procesai). Metalų ir metalų oksidų nanodalelių sintezė; porėto anodinio aliumininio oksido membranų formavimas; nanometrinių matmenų porėto silicio formavimas; polimerinių nanokmpozitų, pasižyminčių plazmoniniu efektu,pjezo efektu ir kitomis funkcinėmis savybėmis kūrimas. Gali būti atliktas nanostruktūrinių medžiagų suformavimas, padengimas, užnešimas ant objektų.

Elektroninės litografijos taikymas ir tyrimai

Aprašymas:

Naudojama Raith E-LINE yra elektronų pluošto nanolitografijos sistema su 100 x 100 mm staliuko eiga, kuri kontroliuojama lazeriniu interferometru 2 nm tikslumu. Naudojamas lauko emisijos elektronų šaltinis. Elektronų pluoštelio srovė kontroliuojama, pasirenkant atitinkamą apertūrą (7,5, 10, 20, 30, 60 arba 120 µm). Didesni eksponavimo laukai padalinami į mažesnius darbinius laukus. Standartinio eksponavimo lauko dydis yra 100 µm su 2 nm pikselio dydžiu. Darbinio lauko ribose eksponavimas atliekamas nuosekliai - pikselis po pikselio. Speciali programinė įranga leidžia koreguoti artumo efektą bei atlikti trimatę (3D) litografiją.

Taškų hologramų originalų formavimas

Aprašymas:

Paslauga skirta atlikti dokumentų apsaugai skirtų hologramų originalo užrašymą fotorezisto sluoksnyje formuojant 2D taškų hologramas (angl. „Dot-matrix“). Hologramų užrašymas atliekamas naudojant užsakovo pateiktą kompiuterinį grafinį vaizdą arba eskizą. Kombinuotų hologramų užrašymą galima atlikti apjungiant 3D elektroninės nanolitografijos bei 2D taškinių hologramų (dot-matrix) technologijas, tokiu būdu žymiai padidinant kuriamo produkto apsaugos lygį.

Mikrosistemų kūrimas ir tyrimas

Aprašymas:

MEMS gali būti kuriamas, naudojant įvairias medžiagas ir gamybos technologijas, kurių pasirinkimas priklausys nuo prietaiso funkcijos ir aplinkos, kurioje jis turi veikti. MEMS paprastai susideda iš centrinio bloko, kuriame apdorojami duomenys, mikroprocesoriaus ir keleto sąveikaujančių su išore komponentų, pvz., mikrojutiklių. MEMS dydis svyruoja nuo 1 mm iki 1 um, o jis kuriamas, taikant mikro/nanolitografijos, plonų plėvelių nusodinimo ir ėsdinimo procesus.

Švariojo kambario paslauga

Aprašymas:

Švariuoju kambariu įprasta vadinti uždarą erdvę, kurioje kontroliuojama aplinkos temperatūra, drėgmė, slėgis ir tam tikro dydžio dalelių koncentracija. Pagal dalelių dydį ir jų koncentraciją patalpoje ISO 14644-1 standartas įvardija devynias švarumo klases. „Santakos“ slėnyje įrengtas švarusis kambarys yra ISO 5 klasės. Tokio švariojo kambario kubiniame metre dalelių, kurių skersmuo yra didesnis ar lygus 0,5 mikrometrų, skaičius neviršija 3520. Švariajam kambariui nustatyta prietaisų eksploatavimo, personalo apsauginių ir valymo priemonių naudojimo tvarka ir atliekama nuolatinė visų parametrų kontrolė.

Paviršiaus tyrimas Rentgeno fotoelektronų ir Ože elektronų spektroskopijomis

Aprašymas:

Paviršiaus tyrimas rentgeno fotoelektronų ir Ože elektronų spektroskopijomis bei tiesioginė sąsaja vakume su GaAs sluoksnių auginimo sistema atliekami su rentgeno fotoelektronų ir Ože elektronų spektroskopijos sistema KRATOS XSAM800 (rentgeno spindulių šaltinis: dvigubas Al/Mg anodas, elektronų šaltinis Ože spektroskopijai, tiesioginė sąsaja vakume su GaAs sluoksnių auginimo sistema, bandinių transportavimas vakuume, vakuumas ne mažiau 1*10-9 Torr).